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晶圆和硅片的区别 , 晶圆红外测温仪 , 硅片红外测温仪

2021-04-01 10:50:00

晶圆的概念

  晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。

半导体晶圆, Wafer

晶圆的制造过程

  晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路Z主要的原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。

  硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。

  首先是硅提纯,将沙石原料放入一个温度约为2000℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅,又称作冶金级硅,这对微电子器件来说不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此对冶金级硅进行进一步提纯:将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。

  接下来是单晶硅生长,Z常用的方法叫直拉法。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400℃,炉中的空气通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的,在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。用直拉法生长后,单晶棒将按适当的尺寸进行切割,然后进行研磨,将凹凸的切痕磨掉,再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。

  单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的,一般来说,上拉速率越慢,生长的单晶硅棒直径越大。而切出的晶圆片的厚度与直径有关,虽然半导体器件的制备只在晶圆的顶部几微米的范围内完成,但是晶圆的厚度一般要达到1mm,才能保证足够的机械应力支撑,因此晶圆的厚度会随直径的增长而增长。

  晶圆制造厂把这些多晶硅融解,再在融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成,此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。

半导体晶圆

晶圆的基本原料

  硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化( 99.999% ),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。

硅片的定义

 

  硅片是制作晶体管和集成电路的原料。一般是单晶硅的切片。硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展,使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。

半导体晶圆3

硅片的规格

  硅片规格有多种分类方法,可以按照硅片直径、单晶生长方法、掺杂类型等参量和用途来划分种类。

  按硅片直径划分:

 

  硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已发展到18英寸(450mm)等规格。直径越大,在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多,每个芯片的成本也就越低。因此,更大直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大,对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。

  按单晶生长方法划分:

 

  直拉法制各的单晶硅,称为CZ硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为MCZ硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为FZ硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。

半导体硅片

硅片和晶圆的区别

  未切割的单晶硅材料是一种薄型圆片叫晶圆片,是半导体行业的原材料,割后叫硅片,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。

 

外延片红外热像图

半导体红外热像图片, PV320N红外热像仪

以上采用的是德国DIAS红外企业的红外热像仪PYROVIEW 320N compact+(250~1200°C) 通过Veeco炉底开孔的玻璃检测的炉内外延片的温度热图像。

半导体行业常用的德国DIAS红外测温仪和红外热像仪

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2、半导体硅片红外测温仪DY10P(300~1300°C ,3.43μm)

3、短波低温红外热像仪PYROVIEW 320N compact+(250~1200°C)

4、短波高温红外热像仪PYROVIEW 768N compact+ (600~3000°C)" textvalue="短波高温红外热像仪PYROVIEW 768N compact+ (600~3000°C)">短波高温红外热像仪PYROVIEW 768N compact+ (600~3000°C)


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