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晶体生长过程的德国DIAS红外测温仪应用

2020-06-27 00:00:00
晶体生长过程的德国DIAS红外测温仪应用
详细先容:

晶体生长过程的德国DIAS红外测温仪应用
 
单晶硅炉常使用型号

 
1、二线制红外测温仪DG42N(350~1800°C)

2、二线制红外测温仪DS42N(600~2500°C)

3、二线制红外测温仪DG40N(350~1800°C)

4、二线制红外测温仪DS40N(600~2500°C)

5、四线制红外测温仪DG44N(350~1800°C)
6、四线制红外测温仪DS44N(600~2500°C)
 
多晶硅炉常使用双色红外测温仪

1、低价格双色红外测温仪DSR44N(700~1800°C)

2、中价格双色红外测温仪DSR54N(700~1800°C)

3、中价格双色红外测温仪DSR56N(700~1800°C)

4、高精度双色红外测温仪DSR10N(700~1800°C)
 
测量空间有限时,推荐使用光纤红外测温仪
 
1、二线制红外测温仪DSF40N(600~1800°C)

2、二线制红外测温仪DGF40N(350~1800°C)
3、四线制红外测温仪DSF44N(600~1800°C)
4、四线制红外测温仪DGF44N(350~1800°C)
 

简述


太阳能行业的晶圆生产需要用到单晶硅或多晶硅,是在所谓的晶体生长炉,即单晶硅炉或多晶硅炉拉晶生长的。
 
这种从炉内生长的单晶或多晶硅,是要从结晶炉(即单晶硅炉或多晶硅炉)熔液慢慢冷却生长出来的。测量这种过程的结晶熔液的温度很重要,同样控制这个结晶过程的加热元件的温度也很重要。这两种温度必须要协调好,才能确保优的晶体生长过程。
 
太阳能单晶炉可使用的DIAS红外测温仪有10、40、44、54、56这些系列,都可以用来测量晶体生长的熔化温度,性价比较高的40、42、44系列型号有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N,均为短波红外测温仪,测温范围800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
 
多晶硅炉也可使用双色红外测温仪DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通过总线连接到现有控制系统。
 
在测量空间有限时,推荐使用光纤电缆和小光纤探头的光纤红外测温仪;低价格型号有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ,小的光纤探头的光圈为12mm,测温范围可以选600~1800°C。另外,可以选择90°镜像附件或弯曲的光纤电缆。测量光斑仅仅几个毫米。
 
不管是哪一种测量任务,都可以选择好合适的红外测温仪参数,获得较优的效果,观测和控制获得极佳的晶体生长。


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